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封裝是制造光電器件的關鍵過程，它直接影響器件的性能，可靠性和成本。當前，尚無用于陶瓷基板性能測試的國家或行業(yè)標準。其主要性能包括基材外觀，機械性能，熱性能，電性能，包裝性能和可靠性。

陶瓷基板的電性能主要是指基板前后的金屬層是否導電（內(nèi)部通孔的質量是否良好）。由于DPC陶瓷基板的通孔的直徑較小，因此在電鍍和填充孔的過程中可能會發(fā)生諸如未填充的孔和孔的缺陷。通常，可以使用X射線檢查設備進行質量檢查。 X射線無損檢測的最大優(yōu)點是直觀，快速。

以IGBT封裝為例，由于IGBT的高輸出功率，發(fā)熱大，散熱差會損壞IGBT芯片。散熱是IGBT封裝的關鍵技術，必須使用陶瓷基板來增強散熱。 IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板，原因是DBC基板的金屬電路層較厚，具有導熱系數(shù)高，耐熱性高，絕緣性高，強度高，熱膨脹低，耐腐蝕和耐輻射的特點，它廣泛用于電力設備和高溫電子設備的封裝。

封裝的IGBT需要進行X射線無損檢測，以確定和識別在封裝過程中可能發(fā)生的焊點缺陷，從而消除具有錯誤焊接和漏焊等缺陷的產(chǎn)品。隨著半導體技術的不斷發(fā)展，功率器件將朝著高功率，小型化，集成化和多功能化的方向逐步發(fā)展。對用于包裝的陶瓷基板的性能也提出了更高的要求，并且其檢查也更加困難。

陶瓷基板的高精度和小型化。為了滿足裝置小型化的發(fā)展要求，有必要不斷提高陶瓷基板電路層的加工精度（線寬/線間距）。隨著電子設備的精細發(fā)展，X射線檢查設備的精度得到了提高，并及時適應了生產(chǎn)線的需求。

陶瓷基板的集成。一般而言，TPC，DBC和AMB陶瓷基板僅適用于制備單面電路層（或雙面電路層，但上層和下層不導電）。如果要連接上層和下層，則需要進行激光鉆孔（孔徑通常大于200μm），然后在孔中填充金屬漿，然后進行燒結?？字械慕饘賹拥膶щ娦院蛯嵝圆?，且基板可靠性低。集成意味著產(chǎn)品檢查表格的復雜性，因此X射線3D斷層掃描成像可用于此類電子設備的包裝檢查，這種檢查技術可以有效避免高度集成的電子設備的圖像重疊和遮擋。 

DPC陶瓷基板使用激光鉆孔和電鍍孔填充技術來制備通孔金屬。由于孔被電鍍并填充有致密的銅柱，因此電導率和導熱性**，因此可以實現(xiàn)陶瓷基板上下電路層的垂直互連。隨著GaN，SiC，AlN等第三代半導體技術的發(fā)展，功率器件已開始在半導體照明，電力電子，微波射頻，5G通信，新能源和新能源汽車等領域迅速發(fā)展，以及使用陶瓷基板的需求激增。

陶瓷基板在功率器件包裝中起著舉足輕重的作用，是各國開發(fā)的關鍵電子材料。因此，迫切需要加強陶瓷基體核心技術（包括陶瓷粉，基體和基體制備技術等）的研究和開發(fā)，以滿足中國快速發(fā)展的市場需求。 X射線無損檢測技術還將密切關注包裝技術的發(fā)展，并有效地服務于產(chǎn)品質量檢測。

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